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放大器的效率η为：
可见，当晶体管的饱和压降vcS愈小，则放大器的效率愈高，若VCS→0则η→100%。以上是在 电感、电容、晶体管都不计损耗的理想情况下得到的结果，实际上是有损耗的。其损耗主要存在着两类，在高频运用时，其晶体管内部损耗更不容忽视的。
(1)闭态饱和损耗
由(1．101)式可知．晶体管饱和压降愈大则效率越低。理论和实验可以说明，随着频率的升高和功率加大，饱和压降将迅速增大，为了减小饱和损耗，必须选用fT高的晶体管。一般来说，对小功率管(<10W)，f≥0.1fT，对于大功率管(>10W) f ≥0.01fT时才需考虑饱和压降的影响。
因为这时饱和压降随频率急剧增大，在大功率时由于电流的增加饱和压降也大大上升，因此D类放大器的效率在这些频率和电流下将急剧下降。
(2)开关过程引起的过渡损耗。
过渡损耗是由过渡瞬变过程的时间来确定，它取决于晶体管电流或电压的上升和下降时间及基极和集电极的电荷存储效应。在晶体管电流或电压上升和下降时间内，晶体管处于有源状态，要消耗一定功率。此外接通延迟时间td（由晶体管基极电容和其他电路电容的充电时间决定）和晶体管开关从饱和进入有源状态时，从基区和集电极抽出过量电荷的存储时间ts也要增大过渡损耗。延迟时间td和存储时间ts，不仅延长晶体管的开关过渡过程，而且要产生电流和电压瞬变，会使晶体管由于二次击穿或雪崩效应而损坏。
如果晶体管存储时间大于接通延迟时间，两个晶体管将同时处于闭态。大的瞬间集电极电流将通过低阻通路从集电极电源到地。不仅要降低放大器的效率，而且要使器件的可靠性降低，因为在高的集一射电压下，过大的集电极电流要使器件由于二次击穿而损坏。这种瞬态的集电极电流尖峰可以用附加基一射间的电容，增大器件接通延迟时间，限止两个晶体管都处于“闭态”的时间间隔来减弱。
ib的负脉冲愈大，持续时间愈长，ts愈长，td主要取决于集电极电荷的存储。随着工作频率的上升，晶体管的电荷存储效应愈显著，严重时可使两管同时导通，出现危险的雪崩，使晶体管损坏。集电极电荷存储时间是随着集电极电流的增加而增大，集电极电流又随基极电流增加而增大，基极电流又随激励信号的加大而增大。因此选择开关特性好，ft高且功率满足要求的晶体管，设计最佳激励，对于提高D类功率放大器的效率是完全必要的。
回路参数对p点电压有相当影响程度，激励信号对P点波形的影响。
基极加速电容CP对p点波形的影响，CP使p点电压 波形的上升沿更徒，波形有所改善,略有提高。LC串联谐振回路对p点电压波形的影响是表演为电感上，它是放大器重要元件，要求Q值愈高愈好，若LC回路调谐不准时，尤其回路呈感性时，p点也会出现激励过大那样的波形，对影响颇大。
激励信号对p点电压波形的影响
a信号小，功率小
b信号过大，功率大，效率低
c信号适当，功率大，效率高
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